Компания NEO Semiconductor продемонстрировала прототип своей новой технологии 3D X-DRAM, что может коренным образом изменить подход к оперативной памяти. Разработка прошла успешное тестирование в Тайване, и уже привлекла внимание крупных инвесторов.
- Создание прототипа 3D X-DRAM подтвердило жизнеспособность концепции.
- Время регенерации составляет менее 1 секунды, значительно превосходя стандарты.
- Инвестор Стэн Ши, основатель Acer, поддерживает проект.
- Партнёрство с тайваньскими университетами способствует развитию технологии.
Преимущества новой технологии
Разработчики NEO Semiconductor уверены, что стековая компоновка памяти DRAM, в сочетании с широкой шиной данных, обеспечит значительное увеличение плотности хранения и производительности. Ожидается, что один кристалл сможет хранить до 512 Гбит данных, а пропускная способность будет в 16 раз выше, чем у существующей памяти HBM.
Тестирование и характеристики
Прототип 3D X-DRAM был разработан на Тайване, в Тайваньском научно-исследовательском институте полупроводников. По предварительным данным, время задержки чтения/записи составляет менее 10 нс. Устойчивость к износу достигла 10¹⁴, что также является впечатляющим показателем для оперативной памяти.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Время регенерации | более 1 секунды |
| Задержка чтения/записи | менее 10 нс |
| Устойчивость к износу | 10¹⁴ |
Успешное тестирование 3D X-DRAM открывает новые возможности для развития технологий памяти, что может значительно улучшить производительность вычислительных систем в ближайшем будущем.